含氟聚合物/氟化改性CdSe量子点薄膜的制备与荧光介电性能研究文献综述

含氟聚合物由于其优异的介电性能、化学稳定性和热稳定性，在光电器件、传感器和能源存储等领域受到广泛关注。

CdSe量子点作为一种重要的II-VI族半导体纳米材料，具有尺寸可调的光学性质、高的荧光量子产率和窄的半峰宽等优点，在显示器、生物成像和光催化等领域展现出巨大的应用潜力。

将含氟聚合物与CdSe量子点复合，制备具有优异荧光和介电性能的薄膜材料，有望进一步拓展其应用范围。

本文综述了含氟聚合物/氟化改性CdSe量子点薄膜的制备方法、荧光和介电性能，并探讨了其在光电器件领域的应用前景。

关键词：含氟聚合物；CdSe量子点；氟化改性；薄膜；荧光；介电

近年来，随着科技的飞速发展，对新材料的需求日益增长，其中兼具优异光学和电学性能的材料成为研究热点。

含氟聚合物，例如聚偏氟乙烯（PVDF）、聚四氟乙烯（PTFE）等，由于其独特的C-F键，表现出优异的介电性能、化学稳定性和热稳定性，在电子封装、电容器和传感器等领域具有广泛的应用[3]。

然而，大多数含氟聚合物缺乏发光特性，限制了其在光电器件中的应用。

量子点（QDs）作为一种新型的半导体纳米材料，由于其量子限域效应，表现出许多独特的光学和电学性质，例如尺寸可调的光学性质、高的荧光量子产率和窄的半峰宽等[1,2]。

在众多量子点中，CdSe量子点因其合成方法成熟、成本低廉、荧光性能优异等优点，受到研究者的广泛关注[18,19]。