摘要
二维材料以其独特的物理化学性质和广泛的应用前景引起了人们极大的研究兴趣。
过渡金属硫系化合物(TMDC)作为二维材料家族的典型代表，在电子、光电、催化等领域展现出巨大的潜力。
近年来，除了传统的六角结构外，五角结构TMDC由于其新颖的结构和电子特性也逐渐成为研究热点。
本综述重点关注二维五角结构TMDC的电子结构研究进展。
首先，介绍了二维材料、TMDC以及五角结构TMDC的基本概念和结构特点。
接着，综述了五角结构TMDC的制备方法，包括气相沉积法、化学气相传输法、液相剥离法等。
随后，详细讨论了五角结构TMDC的电子结构研究方法，包括密度泛函理论(DFT)计算、角分辨光电子能谱(ARPES)等实验技术，并对不同方法的优缺点进行了比较分析。
在此基础上，总结了五角结构TMDC的电子结构特征，例如能带结构、态密度、电荷密度分布等，并探讨了其与材料性质之间的关系。
最后，展望了二维五角结构TMDC电子结构研究面临的挑战和未来发展方向。
关键词：二维材料；五角结构；过渡金属硫系化合物；电子结构；密度泛函理论
剩余内容已隐藏，您需要先支付 10元 才能查看该篇文章全部内容！立即支付
课题毕业论文、开题报告、任务书、外文翻译、程序设计、图纸设计等资料可联系客服协助查找。
