柔性铁电存储器的研究文献综述

1. 结合毕业设计（论文）课题情况，根据所查阅的文献资料，每人撰写2000 字左右的文献综述：

文献综述

1、引言

近些年，随着智能穿戴设备和柔性显示设备的快速兴起，透明柔性阻变存储器也得到了越来越多的关注。铁电随机存储器（FeRAM）重量轻、抗辐射、存取速度快、功耗低、使用寿命长，被认为是下一代非易失性存储器中最具前景的候选装置之一。而基于铁电存储器的柔性、透明存储器也成为研究热点。然而，PVDF-TrFE等有机铁电存储器存在不稳定、易潮解、高温易分解等致命缺点；而传统的PZT等无机氧化物铁电存储器因制备温度高而导致其柔性或透明化工艺复杂、成本高昂，且易产生铁电疲劳。Bi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂钙钛矿氧化物铁电材料因其独特的铋层状结构而具有良好的抗铁电疲劳性能，其居里温度高、铁电性能优异，是未来最有前景的铁电存储材料之一。而本课题使用脉冲激光沉积法在云母（Mica）衬底上制备了结构为SrRuO₃（底电极/Bi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂（铁电层）/Pt（上电极）柔性铁电存储器，研究了柔性铁电存储器的制备工艺和性能表征。

2、铁电存储机理

灵活的非易失性存储器已经为未来电子应用的数据存储引起了极大的关注。从设备角度来看，柔性存储设备的优点包括薄，轻便，可打印，可折叠且可伸展。闪存，电阻式随机存取存储器（RRAM）和铁电随机存取存储器/铁电场效应晶体管存储器（FeRAM / FeFET）被认为是下一代非易失性存储设备的有前途的候选产品。根据本课题的研究重点，这里阐述了铁电随机存取存储器/铁电场效应晶体管存储器（FeRAM / FeFET）相关机理。

2.1. 实现记忆操作的原理

铁电体来源于聚合物或无机晶体的自发极化^[1]，自发极化又起因于铁电材料内部本征偶极矩的对准，可用以下公式表示：D = εrE P，其中P是极化，D是介电位移，E是电场，r是介电材料的相对介电常数。^[2]铁电材料会表现出极化电场-磁滞回线这些类似于磁性材料显示的磁化-磁场-磁滞回线。基于铁电材料的存储器件分为基于电容器的结构（1T1C，2T2C 和 1T2C）和具有破坏性和非破坏性读出的一个晶体管（1T）结构。

图 1. a）典型的 1T1C FeRAM 单元和 b）1T FeFET 单元的电路原理图。c）电荷位移电场（DE）磁滞回线和铁电电容器的极化条件。d）源漏电流-栅极电压磁滞和 FeFET极化条件