微波压控交叉耦合谐波振荡器的设计文献综述

文献综述（或调研报告）：

现阶段，实现宽频带、高速度的无线通信的趋势使得无线通信系统必须朝着毫米波频段发展。高频段通信吸引着业界主流企业、研究所以及各高校的广泛关注。毫米波压控振荡器是毫米波无线收发系统的关键电路，研究毫米波交叉耦合压控振荡器的重要性不言而喻。近些年来，各界一直在研究和设计基于CMOS工艺的毫米波压控振荡器芯片，包括研究电路设计中的有源器件、无源器件，进而取得了许多突破性的成就。毫米波压控振荡器在研究中一直都在不断地考虑如何拓宽频带、降低成本、降低相位噪声。基于CMOS工艺的毫米波压控振荡器目前能够达到较宽的调谐范围和较低的相位噪声。

1.国外研究情况：

2006年，Huang D等人^[12]采用90nm COMS工艺实现了60GHz调谐振荡电路，电路采用四阶耦合谐振腔，电路振荡在其高频极点频率上可实现58.76-63.94GHZ频段调谐。

2008年，佛罗里达大学的Changehua Cao，Kenneth K.O等人在0.13mu;mCOMS工艺上设计了一种60GHz压控振荡器^[1]，其频带宽度为5.8GHz，在1MHz频偏出的相位噪声为-89dBc/Hz，其功耗为9.8mW，其核心芯片的面积仅仅为0.24mm²。

2011年，东京工业大学的Ahmed Musa，Rui Murakaimi等人在65nm CMOS工艺上设计了一种60GHz的正交注入锁定振荡器^[2]，它的频带宽度达到了7.4GHz，其中60GHz的振荡器功耗为14.4mW，在1MHz频偏处的相位噪声为-95dBc/Hz。

2013年，南洋理工大学的Xiang Yi，Chirn Chye Boon等人在65nm CMOS工艺上设计实现了一种60GHz的正交压控振荡器^[3]。此压控振荡器采用同相注入耦合方式来产生正交信号，相比之前用的正交耦合方式，在相位噪声上有了更明确的进步。它的调谐频带宽度是10.4GHz，功耗为24.6mW，在1MHz频偏处的相位噪声为-91dBc/Hz。

2015年，南卫理公会大学Tianzuo Xi，Shita Guo等人基于65nm CMOS工艺上实现了一种毫米波正交压控振荡器^[4]，其频率范围为76GHz~90GHz，在10MHz频偏处其相位噪声达到-119.2dBc/Hz。