硅纳米线的制备与光催化特性研究开题报告

1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

si纳米线的制备与光催化特性研究一、 si纳米线的研究进展与现状 si纳米线材料是近年来发展起来的一种新型的非常重要的纳米半导体材料，与其块体材料相比，显现出奇异的物理和化学特性，其应用也越来越广泛，成为了目前纳米技术领域科学研究的热点和前沿之一。

由于具有独特的一维结构、热电导率、电化学性能、光电性质等特点，被广泛应用于热电与传感器件、光电子元器件、太阳能电池、锂离子电池、光催化等领域。

以ti02为代表的传统光催化剂,由于其带隙宽而只能利用太阳光中的紫外光,大大限制了其应用范围。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

本论文主要在阅读大量文献的基础上，通过实验分析研究si纳米线的制备及其光催化特性，包括的内容如下：1.si纳米线的制备采用金属催化化学刻蚀法（mace）制备si纳米线，具体过程包括：第一步:硅片清洗(去除硅片表面有机物) 将 p型(或n型)硅圆片切成 1 cm1 cm 的小片，然后将小片用去离子水清洗4~5遍;再用丙酮、乙醇中浸泡并超声洗涤 10 min;用去离子水超声洗涤2~ 3 次，去除残留的丙酮、乙醇。

第二步:硅线生长将清洗好的硅片放入盛有刻蚀液的塑料烧杯中刻蚀10min，刻蚀液由 hf(5m/l) 和 agno3(0.02m/l)的混合溶液组成。

第三步:硅片后处理从刻蚀液中取出的硅片，形成的纳米线阵列表面有一层疏松的银， 用去离子水冲洗去硅片上残留的 hf 后，将之浸泡在30%的硝酸溶液中 30 min，除去表面附着的银,将除去银的硅纳米线阵列用去离子水清洗后干燥。