1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）
文 献 综 述低能耗电子元件一直是备受关注的话题，量子反常霍尔效应的发现大大推进了这一过程，mnbi2te4是一类具备实现此效应基本条件的材料， 以下文献综述是本人阅读一系列相关论文的总结，其中包括霍尔效应到量子反常霍尔效应的发展历史及原理解释，以及mnbi2te4的一些物理性质的介绍及其部分合成方法和表征方式的介绍。
一，霍尔效应及其量子化1880年，霍尔在探究磁性金属的霍尔效应时，发现即使不加外电场也能产生霍尔效应，这种在无磁场作用下的霍尔效应就称为反常霍尔效应。
[1]在当时连电子概念都未被提出的前提下，科学家们在很长的一段时间里并不能解释这一现象并进行关于反常霍尔效应的研究，直到上世纪50年代才开始对其形成原理进行系统性的探究。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
课题实验目的为了实现量子反常霍尔效应，本征磁性拓扑绝缘体mnbi2te4的研究变得有必要，它满足了实现量子反常霍尔效应的基本条件，三维拓扑结构、反铁磁性、绝缘性。
这得益于它的独特构造和能带结构。
同时mnbi2te4晶体生长首次为三维反铁磁拓扑绝缘体态提供了实验验证。
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