1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）
Ⅲ-Ⅴ族半导体是目前制作光电器件和电子器件的理想材料。
在Ⅲ-Ⅴ族半导体中，锑化铟(insb)具有最高的室温电子迁移率μe=77000 cm2/(vs)，最大的电子g因子|g*|=51，和最小的电子有效质量m*e=0.015 me，非常适合制作红外光电器件、量子器件和超高频电子器件。
但是由于insb晶体的晶格常数与常见的半导体材料（如硅、砷化镓等）的晶格常数相差较大，很难基于传统的微电子工艺加工制备出insb器件。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
（一）探索影响lnsb纳米线制备的因素：通过改变反应前驱源的比例、反应温度以及表面活性剂的用量，将反应产物结合相关的结构表征来研究lnsb纳米线的形成机理。
（二）cvd生长lnsb纳米线综合利用 xrd、afm 以及 sem 等薄膜表征手段，给出cvd制备lnsb纳米线的较佳工艺窗口。
（三） 光电性研究对所制备 lnsb纳米线材料进行光学特性和电学特性的研究。
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