1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）
大尺寸单层mose2的生长及其光电性质研究摘要:主要研究了硒化钼(mose2)薄膜的制备及其光电特性。
以硒化钼粉末作为原料、采用化学气相沉积(cvd)法在si衬底上沉积硒化钼薄膜。
利用原子力显微镜(afm)、 x射线衍射仪(xrd)、霍尔效应仪和uv-3600分光光度计分别表征了硒化钼薄膜的表面形貌、晶体结构、光吸收特性和mose2/si异质结的光电特性。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
本课题主要研究大尺寸单层MoSe2的生长及其光电性质，主要拟采用高温化学气相沉积法进行实验
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