1. 研究目的与意义
背景：近年来，宽禁带半导体异质结在太阳能电池、发光二极管、光电探测、短波光电器件以及显示技术等众多领域的应用开发成了人们研究的热点。二硫化钼(mos2)在某些特定情况下呈现间接带隙(1.12 ev)和直接带隙(1.8 ev)两种状态(这两种状态不同时存在)，从而在光电器件领域具有很大的应用前景，如逻辑电路和放大器等。
氧化锌(zno)是一种稳定的氧化物，在零下几十摄氏度至零上几百摄氏度的温度内可以稳定存在；zno也是一种特别受欢迎的宽带隙半导体材料(带隙为3.37 ev)，激子束缚能为60 mev，易实现高效率受激发射，是制作量子效率高，激发阈值低的光电子器件的理想材料。
目的：采用化学气相沉积法(cvd)在硅衬底上先后沉积掺银的二硫化钼(mos2)薄膜和掺银的氧化锌(zno)薄膜形成mos2/zno异质结。深入探究生长温度、气体流量、掺杂浓度等对硫化钼薄膜和氧化锌薄膜的影响规律，并探究异质结的光电输运特性。
2. 研究内容和预期目标
研究内容
通过本科所学知识及查阅文献资料，全面地了解二硫化钼薄膜和氧化锌薄膜的制备方法及其特性。本实验提出采用化学气相沉积方法(cvd)，在衬底上先后沉积掺银的二硫化钼薄膜和掺银的氧化锌薄膜，并研究其光电特性。测量薄膜厚度、形貌、掺杂浓度等对薄膜电导率、电子迁移率等光电特性的影响规律。
预期目标
3. 研究的方法与步骤
研究方法：
(1)、利用硫化钼粉末、醋酸锌粉末为原料，重掺杂的硅为衬底，化学气相沉积法(cvd)制备mos2/zno异质结薄膜。
(2)、利用原子力显微镜(afm)、台阶仪和x-射线衍射(xrd)分别研究二硫化钼薄膜和氧化锌薄膜的表面形貌、薄膜厚度和晶体结构。
4. 参考文献
[1] s.bertolazzi, j. brivio, a. kis, stretching and breaking of ultrathin mos2,nano, 2011, 5(12): 9703-9709.
[2] b. k.prasad, s. rathod, m.s. yadav, and o.p. modi，sliding wear behavior of cast iron: influence of mos2 andgraphite addition to the oil lubricant, j. mater. eng. and performance, 2011, 20:445-455.
[3] a.splendiani, et al. emerging photoluminescence in monolayer mos2.nano lett. 2010, 10: 1271-1275.
5. 计划与进度安排
| 1. 第七学期4—7周，毕业论文命题，对本学院教师提出命题要求，布置任务，教师命题;
2. 10—11周：毕业论文课题申报、审题，指导教师填写毕业论文题目申报表，经系部和学院审核，然后进入教务系统进行毕业论文题目申报;
3. 14—17周，学生网上选题，学生网上选题，视学生选题情况作适当调整。选题结束，指导老师向学生下达任务，学生根据要求收集资料；
4. 第八学期: 第八学期，1周2022年2月22日-2月28日：毕业论文工作动员，组织指导老师和青年教师交流、培训；
5. 2022年2月22日-3月6日：下发毕业论文任务书。指导教师完成在系统中毕业论文任务书的下发，系主任审核任务书。指导教师向学生讲授所选论题的状况和要求等。
6. 2022年3月1日-3月13日：学生完成开题报告。学生提交开题报告等材料（开题报告、外文翻译等），指导教师审核开题报告等材料
7. 2022年3月14日-5月20日：毕业论文写作。学生按开题报告撰写论文
8. 2022年4月18日-4月29日：中期检查。学生汇报课题进展情况，回答教师提问。各系进行自查，并配合教务处论文中期检查；
92022年5月9日-5月15日：完成论文初稿。指导教师批阅论文初稿，提出修改意见；
10. 2022年5月16日-5月29日：论文定稿。经指导老师批阅，达到质量要求后定稿;
11. 2022年5月30日-6月5日：毕业论文评阅。指导教师写出评语，给出成绩等第;评阅教师评阅;
12. 2022年6月6日-6月12日：学生答辩，答辩委员会提出终审意见，确定成绩，填写评议书;
13. 2022年6月13日-6月15日：整理材料，做好总结，上报教务处。
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