碘化铜薄膜的制备与光电特性研究开题报告

1. 研究目的与意义

背景：宽禁带半导体／Si异质结在太阳电池、发光二极管、光电探测、短波光电器件以及显示技术等众多领域的应用开发成了人们近几年研究的热点。减小界面态是提高半导体硅基异质结器件性能难以攻克的一个难题，CuI是一种宽禁带宽度（3.1eV）ｐ型导电类型的高电导率的分子晶体半导体材料，几乎在CuI／Si界面不产生应力，并且几乎不形成界面态，因此CuI薄膜与n-Si构成的异质结有望成为界面性能与光电特性的光电子器件，广泛应用于众多领域。

目的：应用传输矩阵碘化亚铜薄膜，研究其表面形貌、光电特性的影响，提高碘化亚铜薄膜的导电特性和光吸收率，促进其在光电子器件及太阳能电池领域的应用。

意义：根据最新研究，金属掺杂半导体的研究成为热点，诸多研究表明金属掺杂对半导体的光电特性、表面生长特性等存在显著的影响，因此，本实验探究稀土元素掺杂对碘化亚铜薄膜的光电特性影响研究。

2. 研究内容和预期目标

研究内容

通过查阅文献资料，全面地了解碘化亚铜薄膜的制备方法和掺杂特性。本文将采用碘化亚铜粉末做原料，利用提拉法制备碘化亚铜薄膜，并对原料进行掺杂，提高薄膜的质量。对制备的薄膜进行表征，利用分光光度计测试薄膜的光吸收特性，利用霍尔效应仪测试薄膜表面的i-v特性和薄膜的导电类型，利用x射线衍射仪(xrd)测试薄膜的结晶度，利用原子力显微镜(afm)和扫描电子显微镜（sem）测设薄膜的表面形貌。通过这些对薄膜的测试，数据收集完备。最后分析数据，撰写论文。

预期目标

3. 研究的方法与步骤

研究方法：

(1)、使用化学气相沉积法（cvd）制备薄膜。

(2)、利用金相显微镜和原子力显微镜（afm）、x-射线衍射（xrd）研究稀土元素掺杂对碘化亚铜薄膜的结构和表面形貌的影响。

4. 参考文献

[1]jeong i s,kim j h,im s.ultraviolet-enhanced photodiode employing n-zno/p-si structure[j].appl.phys.lett.,2003,83(14):2946-2948

[2]zhang t c,guo y,mei z x,et al.visible-blind ultraviolet photodetector based on double heterojunction of n-zno/insulator-mgo/p-si[j]. appl. phys. lett., 2009, 94(11): 113508-113508-3.

[3]mridha s,basak d. ultraviolet and visible photoresponse properties of n-zno/p-si heterojunction[j]. j.appl. phys.,2007,101(8):083102-083102-5.

5. 计划与进度安排

1. 第七学期4—7周，毕业论文命题，对本学院教师提出命题要求，布置任务，教师命题;

2. 10—11周：毕业论文课题申报、审题，指导教师填写毕业论文题目申报表，经系部和学院审核，然后进入教务系统进行毕业论文题目申报;

3. 14—17周，学生网上选题，学生网上选题，视学生选题情况作适当调整。选题结束，指导老师向学生下达任务，学生根据要求收集资料；