电阻可调特性在非易失性存储器中的应用开题报告

1. 研究目的与意义

在过去的几十年里，集成电路技术得到了突飞猛进的发展，特别是存储器在信息产业的增长中起到关键作用。而随着电子产品对存储器发展的驱动，存储器市场需要更高密度、高速度、低功耗、具有不挥发性且价格便宜的存储器产品。到目前为止, Flash是最成功的高密度不挥发性存储器。但是随着器件尺寸不断缩小，Flash的发展受到限制，一方面它的编程电压不能按比例减小，另一方面随着器件尺寸减小、隧道氧化层减薄，电荷保持性能下降。因此, 我们不得不研究新一代存储器。而阻变存储器由于存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、信息保持稳定、具有不挥发性且和 CMOS工艺兼容，是未来新一代存储技术的有力竞争者。本文将通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及阻变存储器所表现出的不同I-V特性，研究器件的阻变特性在非易失性存储器中的应用。

2. 研究内容和预期目标

随着器件尺寸的缩小，阻变存储器具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧，直接制约了RRAM的研发与应用。而氧化物的电流-电压特性是非线性的，具有I-V回线，这种特性可以用于开发下一代非易失性存储器。本课题将围绕氧化物的电阻可调性，调研国内外的研究现状和最新进展, 通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究器件的阻变特性为进一步开展该方向的研究提供参考。

3. 研究的方法与步骤

本文将通过查阅文献资料，调研国内外的研究现状和最新进展，介绍rram器件的基本结构，并且分类总结常用的材料以及制备工艺，对rram阵列的集成方案进行比较,并且讨论目前存在的问题，最后,对rram的研究趋势进行展望，为进一步开展该方向的研究提供参考。

4. 参考文献

1.周智辉，杨昌平，邓恒，郭定和.稀土掺杂锰氧化物的电致电阻效应[j].功能材料，2007，38 (a03):1104-1106.

2. 2. 赵鸿滨，屠海令，杜军。非易失性阻变存储器研究进展[j].稀土金属，2012，5：491-500.

3. 3. bez r.chalcogenide pcm:a memory technology for next decade[a]. 2009

5. 计划与进度安排