硅薄膜刻蚀研究开题报告

1. 研究目的与意义

硅薄膜在电子元器件和新能源利用中都有重要地位,与此同时，在我们的日常生活中，硅薄膜材料也运用的越来越广泛。在能源科学、信息科学的微电子技术有广泛应用的一种新型功能材料。应用中经常需要对薄膜进行图形化处理，通过调研硅薄膜的通过具体应用和制备方法，并利用反应离子刻蚀技术对硅薄膜进行刻蚀，研究刻蚀条件对实验结果的影响。为以后硅薄膜的制备与刻蚀储备一定的经验数据，为硅薄膜的更广泛应用打下基础。

2. 研究内容和预期目标

1.通过调研了解硅薄膜的制备方法和应用情况，分析得到硅薄膜制备最有利的数据比；

2.学习化学气相沉积法制备薄膜材料的原理和cvd设备的应用，充分了解仪器，安全操作；

3.学习离子反应干法刻蚀设备的使用并对硅薄膜材料进行刻蚀；

3. 研究的方法与步骤

研究方法：

利用不同的气体比，沉积时间等变量来测量不同情况下的薄膜生成的情况以及刻蚀效果。

步骤：

4. 参考文献

1.半导体物理学，刘恩科等，西安交通大学出版社，1998年10月第1版。

2．半导体制造技术，~ michael quirk (作者), julian serda (作者),海潮和(合著者),徐秋霞(合著者),等(合著者),韩郑生(译者)电子工业出版社;第1版，2009年。

3.向鹏飞, 袁安波, 杨修伟, 高建威.ccd 多晶硅刻蚀技术研究[j].半导体光电,2010,31(6),885-887.

5. 计划与进度安排

第七学期2022.11.19与老师见面，了解毕业论文总体情况，完成查阅文献资料任务；

第1周 2022年2月22日-2月26 查看毕业论文任务书，再次向老师了解所选论文题目的状况和要求等；

第2-3周2022年2月29日-3月11日 完成开题报告，等待指导教师修改和审定论文开题报告；