镍/硅薄膜退火性能研究开题报告

1. 研究目的与意义

目前，随着半导体和微电子行业的蓬勃发展，薄膜科技与技术越来越受到人们的关注。薄膜技术是半导体技术中十分重要的一部分，金属镍薄膜具有良好的导电性，耐腐蚀性好，可塑性好在微电子行业中有着十分广泛的应用。金属和半导体接触有着较大电阻，为了提高器件性能必须减小电阻，工业中常在重掺杂金半接触接触面形成金属半导体化合物减小电阻。本论文即研究半导体表面形成金属化合物的条件和结构性能测试。

2. 研究内容和预期目标

3. 研究的方法与步骤

使用ckj-500d多靶磁控溅射设备在n型重掺杂si基片上生长ni薄膜，使用dektakxt探针式表面轮廓仪测量不同条件下生长的ni薄膜厚度。

使用aj-Ⅲ型原子力显微镜观察不同条件下生长的ni薄膜的表面形貌以及退火处理后薄膜的表面形貌的改变。

使用lpcvd设备对不同生长条件的样品进行退火处理。

4. 参考文献

1.杨邦朝.薄膜物理与技术，成都电子科技大学出版社， 1994： 4-5

2.张兴，黄如，刘晓彦.微电子学概论，北京大学出版社， 2010： 81-82

3.[美]施敏著，赵鹤鸣，钱敏，黄秋萍译.半导体器件物理与工艺，苏州大学出版社， 2002： 220-245

5. 计划与进度安排

1周 2022年2月22日-2月26日 下达毕业论文任务书，再次向学生讲授所选论文题目的状况和要求等；

2-3周 2022年2月29日-3月11日 学生完成开题报告，指导教师修改和审定学生论文开题报告；

4-15周 2022年3月14日-6月5日 按照开题报告要求进行实验和测试工作，按要求撰写毕业论文；