1. 研究目的与意义
研究背景:在传统的铁电材料中,存在着超过几个纳米的铁电临界厚度铁电钙钛矿氧物,铁电性在最终薄尺寸最近被发现在SnS单分子膜中。这一发现表明SnS有可能维持铁电性在进一步的低维小型化过程中。在这里,我们研究了铁电临界尺寸低维SnS纳米结构,如纳米带和纳米片,并使用密度泛函理论的第一性原理计算。我们证明了最小的SnS纳米带具有维持铁电性的能力,其内部不存在铁电临界尺寸SnTe纳米带。另一方面,SnS纳米片形成了一个极化涡旋并失去了极化它们的环形铁电性。我们还揭示了SnS中临界尺寸的存在与否。我们的结果提供了一个洞察低维硫系层状材料本征铁电临界尺寸。
研究目的:了解第一原理密度泛函理论的基本知识,通过第一性原理方法计算SnS薄膜的晶格结构、磁性、电子结构等性质,分析不同种类的SnS材料电子结构的特点和区别。
研究意义:降低铁电体的尺寸和对其进行密度集成,对于铁电存储器,传感器和制动器等设备的性能有显著提高。
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2. 研究内容和预期目标
研究内容:
首先,建立sns薄膜的结构模型,然后,利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究所构建的若干种不同类型的sns薄膜材料的结构特性,包括晶格结构、磁性、能带结构等,得出sns薄膜材料的性质
预期目标:
3. 研究的方法与步骤
研究方法:
(1)复习量子力学和固体物理学,了解密度泛函理论基本知识。
(2)利用vesta软件建立相应的sns薄膜材料结构模型。
4. 参考文献
1. Ahn, C.H.; Rabe, K.M.; Triscone, J.M.Ferroelectricity at the nanoscale: Local polarization in oxide thin films andheterostructures. Science 2004, 303, 488–491. [CrossRef] 2. Gruverman, A.; Kholkin, A. Nanoscaleferroelectrics: Processing, characterization and future trends. Rep. Prog.Phys. 2005, 69, 2443–2474. [CrossRef]3. Scott,J. Applications of modern ferroelectrics. Science 2007, 315, 954–959. [CrossRef] 4. Wasa, K.; Haneda, Y.; Sato, T.; Adachi, H.;Setsune, K. Crystal growth of epitaxially grown PbTiO3 thin films on miscutSrTiO3 substrate. Vacuum 1998, 51, 591–594. [CrossRef] 5. Fujisawa, H.; Shimizu, M.; Niu, H.; Nonomura,H.; Honda, K. Ferroelectricity and local currents in epitaxial 5-and9-nm-thick Pb(Zr, Ti)O3 ultrathin films by scanning probe microscopy. Appl.Phys. Lett. 2005, 86, 012903. [CrossRef] 6. Gu, H.; Hu, Y.; You, J.; Hu, Z.; Yuan, Y.;Zhang, T. Characterization of single-crystalline PbTiO3 nanowire growth viasurfactant-free hydrothermal method. J. Appl. Phys. 2007, 101, 024319.[CrossRef] 7. Yun, W.S.; Urban, J.J.; Gu, Q.; Park, H.Ferroelectric properties of individual barium titanate nanowires investigatedby scanned probe microscopy. Nano Lett. 2002, 2, 447–450. [CrossRef] |
5. 计划与进度安排
(1) 2022-12-06~2022-03-01 学生复习量子力学和固体物理等基础课程,学习密度泛函理论的基本知识; (2) 2022-03-02~2022-03-08 调研有关SnS薄膜结构材料的相关文献资料,提出研究方案,完成开题报告,教师完成开题报告的审核。 (3) 2022-03-09~2022-04-10 学习薄膜模型的建立方法;学习第一性原理计算软件包VASP的使用方法;用第一性原理方法计算SnS薄膜的结构性质,包括,晶格结构、磁性、能带结构等。 (4) 2022-04-11~2022-05-03 利用第一性原理计算方法研究多种类型的SnS薄膜结构特性,并研究外加手段对此类材料的晶体结构的调控效应,完成相关数据图形的计算整理,并撰写毕业论文。 (5) 2022-05-04~2022-05-17 学生完成毕业论文的初稿。 (6) 2022-05-18~2022-05-31 学生与指导教师讨论修改论文内容及格式等,完成论文并且定稿。 (7) 2022-06-01~2022-06-14 评阅教师评阅学生论文,学生准备答辩ppt,进行答辩等。 |
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