基于二维MOF活性层的忆阻器研究开题报告

1. 研究目的与意义

背景：二维（2d）范德瓦尔斯（vdw）材料所具有的与传统材料不同的电学、磁学、热学，光学性质 使其成为近年来的热门研究对象，这也为未来新型器件的产生发展做铺垫。其中，压电性和铁电性质是其最为重要的性质，可被应用于存储器、电容器、电感器等等。在器件的实际应用过程中，平面外的压电和铁电性质对于电路的设计来说更为直接。因此，探索新型的平面外极化二维铁电材料并将其应用在非易失性存储器和光伏器件的同时也能得到具有新型功能的二维范德瓦尔斯异质结就引起了大家的极大的研究兴趣。忆阻器是一种可以基于对其施加电压和电流而保留内部电阻状态的电阻开关,在拥有巨大应用前景的同时,其在从科研转向研发的关键阶段也面临着诸多挑战。利用二维材料原子级的厚度以及在电学、光学、热学、机械等方面的优异性能,和相关异质结构的丰富的物理内涵和调控方式,将可能为忆阻器在新材料的运用、器件结构的改进、性能优化等方面实现突破提供重要的机遇。二维金属有机框架做为新型有机二维材料，不但将有机组分和无机组分集合在单一相结构中，而且即具有无机组分的丰富的物理化学性质，还拥有有机材料的易修饰性质。

目的：在剥离出的二维材料的上下表面刻蚀金属电极银，将其做为中心活性层用于忆阻器中，并检测上述各类的忆阻器的性能。并更换具有不同功函数的金属电极种类，对其忆阻性质进行确定和研究忆阻性质产生的物理机制。

2. 研究内容和预期目标

3. 研究的方法与步骤

1.利用水热法，制备出二维金属有机框架晶体。

4. 参考文献

1.

1. m. wang, s. h. cai, c. pan, c. y. wang, x. j. lian, y. zhuo, k. xu, t. j. cao, x. q. pan, b. g. wang, s. j. liang, j. j. yang, p. wang, f. miao,robust memristors based on layered two-dimensional materials [j]. nature electronics. 2018, 1: 130-136.

2. z. g. yu, y. w. zhang, b. i. yakobson, an anomalous formation pathway for dislocation-sulfur vacancy complexes in polycrystalline monolayer mos₂[j]. nano lett.2015, 15:6855-6861.

5. 计划与进度安排

(1)2022年03月01日-03月05日指导教师与学生联系，学生根据要求收集资料

(2) 2022年03月01日-03月05日 下达毕业任务书

(3) 2022年03月01日-03月12日 学生完成开题报告