1. 研究目的与意义
1、背景:研究了磁化强度的动态特性,寻找高磁导率的磁性材料在千兆赫的应用,从而最大限度地减少电磁器件的尺寸是发展先进的电子系统的挑战。为了提高工作效率,减少能量损失,较高的工作频率和较高的集成度是电子器件设计中的持续性问题。然而,最小化的尺寸和电磁设备的能量消耗,如电感器,这是在基本的电子设备,正在成为一个瓶颈。解决这一问题的有效途径之一是在千兆赫的范围内,开发具有高磁导率的磁性材料,这是远远超出了传统的高频磁性材料的范围内,与千赫或兆赫工作频率。在千兆赫范围内的高频磁特性是由磁化动力学:相干的旋波和站立的自旋波决定的。 2、目的:寻找高频磁性材料提供磁化动力学及其应用的基本概况,及相关的测量方法,除了提供洞察微电磁装置研究新前沿的磁化动力学。 3、意义:研究FeN软磁薄膜磁动力学,在千兆赫的范围内,开发具有高磁导率的磁性材料,减少电磁器件的尺寸,提高工作效率,减少能量损失。 |
2. 研究内容和预期目标
研究内容:
(1)通过本科知识及查阅文献资料,了解fen软磁薄膜磁动力学。
(2)采用磁控溅射在玻璃基片上沉积约不同厚度的fen铁磁薄膜,基片厚度0.5mm,面积5mm*10mm,测试fen铁磁薄膜的物理特性,研究fen铁磁薄膜的磁动力学特性。(3)分析50 nmfen薄膜复磁导率与响应频率的关系,landau-liftshitz-gilbert理论对fen铁磁薄膜的磁动力学表征,fen软磁薄膜中的阻尼特性。
3. 研究的方法与步骤
研究方法: (1)磁控溅射法能在低压、低温下以较大的沉积速率制备薄膜,而且制备的薄膜致密、结合力好,薄膜厚度均匀性是衡量薄膜质量和镀膜装置性能的一项重要指标。根据FeN薄膜的结构测试结果,可以看到FeN薄膜厚度约为60 nm,通过原子力显微镜(AFM)扫描看到薄膜颗粒的平均尺寸约为11 nm。 (2)通过探针式表面轮廓仪测量FeN薄膜厚度,微扰法谐振腔测试FeN薄膜的磁导率和共振频率的关系。 (3)通过测试出来的数据,研究铁磁薄膜的磁动力学特性,根据薄膜的相关性质,分析FeN铁磁薄膜的磁动力学。 研究步骤: (1)查找相关文献,熟悉研究领域。 (2)根据参考文献制定相应研究方法。 (3)采用磁控溅射在玻璃基片上沉积约不同厚度的FeN铁磁薄膜,基片厚度0.5mm,面积5mm*10mm,测试FeN铁磁薄膜的物理特性,研究FeN铁磁薄膜的磁动力学特性。 (4)分析50 nmFeN薄膜复磁导率与响应频率的关系,Landau-Liftshitz-Gilbert理论对FeN铁磁薄膜的磁动力学表征,FeN软磁薄膜中的阻尼特性。 (5)结合实验测试原理图和实物图,采用Origin软件对实验数据作图,得出实验结论。 (6)记录实验数据,绘制各实验数据曲线图,并进行科学分析。 (7)根据薄膜的相关性质,分析FeN铁磁薄膜的磁动力学。 (8) 完成论文的初稿,并按指导教师的修改意见认真修改论文,论文格式、引言正文内容、英文摘要上规范、正确,顺利完成毕业设计。 (9) 完成论文终稿。 (10) 完成汇报,准备答辩。 (11) 答辩后,按答辩老师要求修改论文,并整理资料,上交。
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4. 参考文献
[1] J.Andersson and A. Anders, Self-Sputtering Far above the Runaway Threshold[J]:An Extraordinary Metal-Ion Generator, Phys. Rev. Lett. 2009, 102: 045003. [2]K.WangandD.M.Mittleman Simple wire picks upterahertz waves [J],Nature2004,432:376. [3] A.Anders, J. Andersson, and A. Ehiasarian, High power impulse magnetronsputtering[J]: Current-voltage-time characteristics indicate the onset ofsustained self-sputtering Journal of Applied Physics 2007,102: 113303. [4] K.Sarakinos, J. Alami, and S. Konstantinidis, High power pulsed magnetronsputtering[J]: A review on scientific and engineering state of the artSurface and Coatings Technology 2010, 204: 1661. [5]H.T.Chen,W.J.Padilla,J.M.O.Zide,A.C.Gossard,A.J.Taylor, R.D.Averitt,Active terahertz metamaterial devices [J], Nature2006,444:597. [6] A.P. Ehiasarian, J. G. Wen, and I. Petrov, Interface microstructure engineeringby high power impulse magnetron sputtering for the enhancement of adhesion,Journal[J]of Applied Physics 2007,101: 054301. [7]R.Singh,I.A.I.AlNaib,Y.Yang,D.R.Chowdhury,W.Cao,C.Rockstuhland W.Zhang,Observingmetamaterial induced transparency in individual Fano resonators with brokensymmetry [J] Applied PhysicsLetters2011,99:201107. [8] M.Hala, N. Viau, O. Zabeida, J. E. Klemberg-Sapieha, and L. Martinu, Dynamicsof reactive high-power impulse magnetron sputtering discharge studied bytime- and space-resolved optical emission spectroscopy and fast imaging[J],Journal of Applied Physics 2010,107:043305. [9] M.Lattemann, U. Helmersson, and J. Greene, Fully dense, non-faceted111-textured high power impulse magnetron sputtering TiN films grown in theabsence of substrate heating and bias[J], Thin Solid Films 2010,518: 5978. [10]R.Yahiaoui,M.Manjappa,Y.K.Srivastava,Active control and switching of broadband electromagnetically inducedtransparency in symmetric metadevices [J]AppliedPhysicsLetters2017,111:021101. [11] M.Aiempanakit, U. Helmersson, A. Aijaz, P. Larsson,R. Magnusson, J. Jensen, andT. Kubart, Effect of peak power in reactive high power impulse magnetronsputtering[J] of titanium dioxide Surface and Coatings Technology 2011,205:4828. [12] S.Konstantinidis, J. Dauchot, and M. Hecq, Titanium oxide thin films depositedby high-power impulse magnetron sputtering[J], Thin Solid Films 2006,515:1182.
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5. 计划与进度安排
1. 2022年2月24日-3月1日,毕业论文工作动员。 2. 2022年2月24日-3月1日,指导教师完成在系统中毕业论文任务书的下发,系主任审核任务书。指导教师向学生讲授所选论题的状况和要求等。 3. 2022年2月24日-3月8日,学生提交开题报告等材料(开题报告、外文翻译等),指导教师审核开题报告等材料。 4. 2022年3月9日-5月31日,学生按开题报告进行相关实验工作。如对实验内容有科学和技术问题,随时与指导老师进行沟通讨论,务必解决问题。 5. 2022年4月13日-4月26日,学生汇报课题进展情况,回答教师提问。 6. 2022年5月4日-5月17日,指导教师批阅论文初稿,提出修改意见。 7. 2022年5月18日-5月31日,经指导老师批阅,达到质量要求后定稿。 8. 2022年5月25日-6月7日,指导教师写出评语,给出成绩等第;评阅教师评阅。 9. 2022年6月1日-6月14日,学生答辩,答辩委员会提出终审意见,确定成绩,填写评议书。 10. 2022年6月8日-6月21日,整理材料,做好总结,上报教务处。
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