二硫化钼增强的荧光开题报告

1. 研究目的与意义

研究背景：近年来，二维过渡金属硫化物（tmdcs）因其类似石墨烯的层状结构而被誉为 “继石墨烯之后最有希望的二维材料之一”。

其可见光范围内的带隙宽度，使得 mos2在光致发光应用方面受到广泛的关注。

单层二维二硫化钼作为tmdcs的典型代表，其具有本征的直接带隙(1.8 ev)和优异的场效应(开关比高达108，载流子迁移率可达200cm2·v-1·s-1)，在传感器、光电探测器、储存器件和集成电路等器件应用领域中展示出了巨大的优势。

2. 研究内容和预期目标

主要研究内容：1.制备二硫化钼：利用化学气相沉积法制备单层mos2。

2.二硫化钼改性：对二硫化钼的表面进行修饰。

3.测量修饰前后二硫化钼的荧光。

3. 研究的方法与步骤

研究方法和步骤：

1．改性二硫化钼的制备：（1）通过化学气相沉积的方法制备单层二硫化钼，通过改变生长条件，制备出不同形貌的二硫化钼；（2）通过旋涂法制备出有机物修饰的二硫化钼。2．改性二硫化钼的的表征：（1）通过光学显微镜、SEM、AFM、TEM等对MoS2的形貌、组分等进行表征；（2）通过Raman、XPS等对MoS2的晶格、价键等结构进行表征。3．测量二硫化钼的荧光：利用荧光光谱仪对不同形貌以及不同条件下改性MoS2的发射谱（PL）和激发谱（PLE）进行测量。4. 将荧光测量结果和表征结果进行结合，阐明荧光的起源

4. 参考文献

[1] w. f. wang,h.b. shu, j. wang, y.c. cheng, p.liang, x.s. chen, defectpassivation and photoluminescence enhancement of monolayer mos2 crystalsthrough sodium halide-assisted chemical vapor deposition growth, acs appl.mater. interfaces 2020, 12: 9563.

[2] g. eda, h. yamaguchi, d. voiry, t. fujita, m. w. chen,m. chhowalla, photoluminescence from chemically exfoliatedmos₂，nano lett. 2011, 11：5111.

5. 计划与进度安排

1. 第1周，2022年2月24日-3月1日，接受毕业论文任务书； 2. 第1—2周，2022年2月24日-3月8日，提交开题报告等材料； 3. 第3—14周，2022年3月8日-5月29日，按开题报告撰写论文； 4. 第8—9周，2022年5月18日-5月29日，汇报课题进展情况，回答教师提问； 5. 第11—12周，2022年5月4日-5月17日，完成论文初稿； 6. 第13—15周，2022年5月18日-6月5日，在指导老师的指导下，修改论文初稿； 7. 第15—17周，2022年6月6日-6月16日，答辩ppt制作及论文答辩；