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1. 研究目的与意义（文献综述）
2019年，日韩打响了半导体贸易战，日本加大力度限制对韩国出口三种核心尖端材料（用于显示面板制造的聚酰亚胺、半导体核心材料光刻胶和高纯度氟化氢），这样使得全球第一大dram内存芯片、amoled面板和nand闪存供应商的三星陷入原材料供应危机。半导体产业是韩国的出口支柱产业。2019年第一季度韩国半导体出口额为231.99亿美元，占韩国出口总额的17.5%，占比排第一。
与此同时在日本向韩国发出限制清单前一天，紫光集团宣布组建dram事业群，意味着紫光集团这将dram列为发展的重心。dram的制造是具有国家战略意义的技术，同时dram国产化也是中国高端制造的梦想。但dram行业三巨头三星，韩国sk海力士，美国美光占据了95%的市场份额，中国大陆企业的几乎无市场份额。
但是中国是最大dram产品的消费国。现在紫光集团，合肥长鑫，福建晋华投资几百亿美元来减少制造技术与一线大厂的差距。由于目前制造技术发展遇到了瓶颈且全球半导体产业出现裂缝，中国厂商具备赶上的机会。半导体市场比拼的是每颗管芯的成本，只要良率提高，单个管芯成本下降盈利空间就巨大。
2. 研究的基本内容与方案
现发展的芯片检测技术有：表面形貌仪（st）、原子力显微镜（cd-afm）、扫描电子显微镜（sem）和聚焦离子束（fib）等传统的测量技术（引《基于模型的微纳深沟槽结构红外反射谱测量方法研究》）。
表面形貌仪（st）检测过程，将电感传感器探头伸到样品深沟槽内进行测量。原子力显微镜（cd-afm）使用探针对样品进行检测，探针针尖间断接触样品表面。表面形貌仪与原子力显微镜均与样品有接触或间断接触，两种检测方式相似均为接触式检测。
扫描电子显微镜（sem）在样品检测过程中产生的二次电子具有的能量小（小于50ev），在样品中平均自由程小，只有在近表面（约10nm级），二次电子才能溢出表面被接收器接收后成像，对于深沟槽结构还需对样品进行截面制样再进行截面分析检测。聚焦离子束（fib）检测过程，要将样品切成大小相同的陪片和玻璃胶合在一起，并利用聚焦离子束将样品减薄，再通过透射显微镜对样品进行检测。扫描电子显微镜和聚焦离子束检测过程相似，会对有深沟槽结构的样品造成破坏。
3. 研究计划与安排
2月30日-—3月11日: 文献调研 ；
3月12日——3月18日: 外文翻译，开题报告；
3月19日——3月31日: 光学系统设计与关键器件选型；
4. 参考文献（12篇以上）
[1].张传维. 基于模型的微纳深沟槽结构红外反射谱测量方法研究[d]. 华中科技大学, 2009.
[2]. 刘世元, 顾华勇, 张传维, et al. 基于修正等效介质理论的微纳深沟槽结构反射率快速算法研究[j]. 物理学报, 2008(09):642-647.
[3].maznev a a , mazurenko a , durán, c, et al. measuring trenchstructures for microelectronics with model-based infrared reflectometry[c]//aip conference. american institute of physics, 2007.
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