基于镇流电阻优化的高频功率放大器设计与研究开题报告

1. 研究目的与意义

电子技术迅猛发展。

由分立元件发展到集成电路，中小规模集成电路，大规模集成电路和超大规模集成电路。

基本放大器是组成各种复杂放大电路的基本单元。

2. 研究内容和预期目标

功率放大器是现在通信收发器系统中不可或缺的部分，效率和线性度是其主要的性能指标。除了需要较优的线性度，功率放大器还需要较高的效率。较高的效率至少能带来以下优点：一、在同样的输出功率条件下，能够降低晶体管的功耗；二、有利于降低晶体管的结温，防止晶体管因工作温服过高而损坏；三、可以降低晶体管热处理的难度，提高功放的可靠性。可见，效率与晶体管产生的热量紧密相关，降低晶体管的结温使其具有均匀的热分布，有利于提高刚放的效率。

砷化镓铝/砷化镓异质结双极型晶体管（algaas/gaashbt）由于其较大的电流承载能力越来越广泛的应用于射频功率放大器的设计。但是随输入功率的增大，晶体管工作在打信号时会产生严重的热失控，引起电流增益的下降，开启电压vbe(on)的漂移及晶体管基极和集电极电流的改变。为解决以上的热问题，目前常用的方法是在每个hbt的基极或者发射极串联一个镇流电阻器。其他热处理方法包括减薄衬底、覆晶凸块技术、加入电镀散热片或者过温保护电路、热分流技术等。

所有的射频电路中不可缺少的电路单元就是偏置网络。偏置的作用是在某些特定条件下给有源器件提供一个合适的静态工作点以保证工作特性稳定，同时抑制晶体管参数随着温度变化而产生的影响。

3. 研究的方法与步骤

1.首先查阅课题相关的资料，对资料进行整理和研究，结合实际需要提出设计方案。

2.设计方案包括：

(1) 确定的设计思路。

4. 参考文献

[1] 杜武林，张爵胜. 高频电路原理与分析[m]. 西安：西北电讯工程学院出版社，1986.

[2] 杨务诚. gaas hbt mmic 功率放大器的设计[d]:[硕士学位论文]. 湖南：湖南大学，2012

[3] gao g b, unlum s, morkoc h. et al. emitter ballasting resistor design for, and currentcapability of algaas/gaas power heterojunction bipolar transistors [j]. ieeetransactions on electron devices. 1991, 38(2).

5. 计划与进度安排

2022.2.29-2022.3.06 查阅资料完成外文翻译；

2022.3.04-2022.3.13 对照翻译，进行开题报告的准备工作；

2022.3.14-2022.3.20查阅资料完成开题报告；