1. 研究目的与意义
对bjt电学特性如何标定，建立bjt的参数结构模型基于何种考虑，目前有那几种模型和参数系统，参数系统的建立对器件性能指标的标明，设计、应用中带来哪些方便。
深入理解bjt的h参数是怎样基于bjt内在特性建立的，正确理解h参数的意义和特点，对我们掌握bjt在低频小信号使用环境下的性能、本质具有重大的现实意义。
学习吉时利公司全球领先的4200-scs半导体参数分析仪的使用和操作说明，选择有代表性的bjt，列出测试方案进行测试，提取相应的h参数。建立具体的bjt h参数模型，进行具体、详细分析描述。更好地认识和理解bjt器件的特性，加深理论知识、测试方法的掌握和对器件更有目的的应用。
2. 国内外研究现状分析
实验进行之前，先对国内外bjt h参数的提取及分析的研究情况做初步了解，阅读一些国内外的相关文献。
国外文献:[01] (美) donald a. neamen著 赵毅强 等译.半导体物理与器件[m].北京：电子工业出版社，2010
[02] (美) robert f. pierret著 黄如 译.半导体器件基础[m].北京：电子工业出版社，2010
3. 研究的基本内容与计划
使用4200-scs半导体参数分析仪提取bjt的相应h参数：
1、了解bjt的基本结构和工作原理，一般特性、应用特点和使用要求，得到广泛应用的背景等；
2、了解bjt的主要结构模型，认真分析器件工作机理，h参数建立的优点和应用条件，各个参数的物理意义；
4. 研究创新点
关于4200-scs型半导体特性分析系统：
4200-scs是用于器件、材料和半导体工艺参数分析的完整解决方案。这种先进的参数分析仪具有无可比拟的测量灵敏度和精度，同时继承了嵌入式windows操作系统和吉时利交互式测试环境，为半导体科研及产业用户进行半导体器件特性分析提供了直观而高级的功能。它是一套功能强大的单机解决方案。
4200-scs型半导体特性分析系统的优点：
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