基于EDA实现MOS器件与仿真开题报告

1. 研究目的与意义

2012年当量产的集成电路的特征尺寸进入22nm 时，三维晶体管新结构成为纳电子发展的主流，标志纳电子学的发展由应力si时代进入三维晶体管时代。

介绍了多栅晶体管的发展过程，包括双栅、鳍栅、pi型栅、Ω型栅、三栅和环形栅等ＦＥＴ关键技术的突破和由于栅极控制沟道电子能力增加而导致的器件性能的改善。

同时，还介绍了后cmos器件的新进展，包含ingaas n沟道鳍栅fet、环栅纳米线fet、ge　n/p沟道鳍栅fet、碳纳米管fet、石墨烯fet、隧穿fet、单电子晶体管和自旋电子学等，以及后cmos器件的评定和终结cmos器件模型。

2. 研究内容和预期目标

mos器件是集成电路设计中应用最为广泛的一种器件。

对mos器件结构的了解有助于更好的理解其工作原理，从而有助于集成电路的设计，具有很大的应用价值。

本设计重点要求掌握si材料的场效应管器件的设计，并能借助于eda软件实现仿真分析。

3. 研究的方法与步骤

借助于TCAD软件进行仿真分析，了解MOS基本结构及原理1.先介绍CMOS的一些基本结构，如各个区的特性，交流小信号等效模型等2.介绍CMOS工艺MOS管模型参数3.进行仿真，记录结果

4. 参考文献

[1]陈星弼，张庆中. 晶体管原理与设计[m].电子工业出版社, 2006.[2]刘恩科，朱秉升，罗晋生等. 半导体物理学[m].西安交通大学出版社，2005.[3]康华光，陈大钦，张林. 电子技术基础[m].高等教育出版社，第五版，2005.[4]silvaco, inc. atlas users manual-device simulation software [m]. 2010.[5]朱筠. 利用silvaco tcad软件改进集成电路实践教学的研究[j]. 数字技术与应用. 2012.[6]周明辉. 基于tcad软件的纳米mos器件特性分析[j]. 电脑知识与技术。

vol. 8, 2012.[7] 陆江，王立新等。

功率mos器件在不同温度条件下雪崩特性研究[j]. 半导体学报，vol. 32, 2011.[8] 冯耀兰，翟书兵，张晓波等. mos器件的最高温度及潜力开拓[j]. 电子器件.vol.4, 1994.[9] 华伟. 功率mos器件的结构与性能[j]. 通信电源技术. vol.3, 2001.[10] 袁博，陈世彬. 半导体器件模拟软件ise-tcad[j]. 科技信息。

5. 计划与进度安排

(1)2022.1.19-2022.3.10 查阅资料，完成开题报告，完成外文资料的翻译；(2)2022.3.11-2022.3.20了解MOS的基本结构与工作原理，准备课题研究软件仿真设计；(3)2022.3.21-2022.4.20 借助于EDA软件实现MOS器件性能的仿真设计与调试；(4)2022.4.21-2022.5.20 调整并完善仿真设计，资料收集，撰写论文提纲；(5)2022.5.21-2022.6.1 总结资料并撰写论文；(6)2022.6.2-2022.6.10 论文修改，答辩。