基于EDA实现HEMT器件设计与仿真开题报告

1. 研究目的与意义

近十几年来,随着半导体技术的快速发展,传统的si和gaas等基的器件性能已经接近极限,不能满足半导体的应用需要。

由于材料上以及电学属性上的优势,新型的三代半导体宽禁带材料gan、algan和sic等基的微波器件能够突破其上限极限,达到常规半导体难以达到的性能指标。

由于这个原因,目前三代半导体gan材料的algan/gan hemts由于其优越的研究前景而成为目前的热点研究对象。

2. 研究内容和预期目标

一.研究内容 1、 了解HEMT基本结构及工作原理； 2、 了解GaN材料的特殊性以及二维电子气的概念； 3、 了解HEMT器件生长的一般工艺步骤； 4、 进行仿真分析。

二.预期目标 1． 掌握HEMT器件类别与基本特性； 2． 熟练每个过程中的算法基本原理； 3． 通过学习和掌握HEMT器件算法的运用； 4． 提交本科毕业论文一篇。

3. 研究的方法与步骤

本设计选用的gan hemt器件在大功率领域显示出其它材料、结构的器件无法比拟的优势，如大功率以及高效率等。

对器件本身的研究有助于理解其优点。

本设计重点要求掌握高电子迁移率晶体管的结构特点，并能借助于软件实现器件的设计与仿真。

4. 参考文献

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5. 计划与进度安排

(1)2022.1.19-2022.3.10 查阅资料，完成开题报告，完成外文资料的翻译; (2)2022.3.11-2022.3.20了解HEMT的基本结构与工作原理，准备课题研究软件仿真设计； (3)2022.3.21-2022.4.20 借助于EDA软件实现HEMT器件的仿真设计与调试； (4)2022.4.21-2022.5.20 调整并完善仿真设计，资料收集，撰写论文提纲; (5)2022.5.21-2022.6.1 总结资料并撰写论文; (6)2022.6.2-2022.6.10 论文修改，答辩。