高(010)活性晶面暴露的BiVO4晶体的合成、改性及其光催化性能研究开题报告

 2021-11-02 20:50:55

1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)

一、课题背景随着工业的不断发展,能源枯竭与环境恶化的关系日渐成为人们关注的话题,而半导体光催化技术是目前缓解能源与环境问题的有效措施[1]。

该技术不仅能利用太阳光照射产生氧化性物质从而降解污染物净化空气,而且还可以通过光还原二氧化碳合成清洁燃料等用途,但通常其催化率总有一些不尽人意,为了获得更好的光催化效果,增加光催化的效率,需寻找一种更好的光催化材料。

1972年,fujishima和hongda[2]发表了一篇在tio2电极上光解水的论文,成为光催化研究的一个开端。

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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

一、课题内容对高(010)活性晶面暴露的bivo4晶体的合成、改性及其光催化性能的研究。

二、研究手段实际实验。

以原理、信息技术、及相应领域的专业仪器及指导老师的协助下,做出高(010)活性晶面暴露的bivo4晶体,然后对其进行改性以及光催化性能的研究。

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