自组装单分子膜的制备及其对原子层沉积技术选择性的研究开题报告

全文总字数：4469字

1. 研究目的与意义（文献综述）

1.1研究背景

随着现代纳米科技的发展，三维金属纳米结构在原子尺度制造领域起着越来越重要的作用，广泛应用于燃料电池、催化、数据存储、传感、半导体等领域。然而，没有一种传统方法能完全解决三维纳米结构制造上的各种限制，3d纳米制造面临着制造速度慢、几何结构不稳定、只适用于相对较小的区域、实验设置复杂、产量不确定和局部缺陷等挑战。因此，仍然需要新的方法来制备三维纳米结构。

原子层沉积技术ald（atomic layer deposition，后文统称ald）是一种强大的薄膜生长技术，它使用连续、自限制的饱和化学吸附反应，实现对薄膜生长过程的纳米级控制。因此ald作为一种厚度可控、高保形性和大面积均匀性的薄膜制备方法引起了高度重视。

2. 研究的基本内容与方案

2.1 基本内容

材料制备：si（100）、沸石分子筛、十八烷基三氯硅烷odts（octadecyltrichlorosilane）、甲苯、丙酮、mn（thd）₃、臭氧

材料表征： 椭偏仪、水接触角测试仪

3. 研究计划与安排

第1－3周：查阅相关文献资料，完成英文翻译。明确研究内容，了解研究所需原料、仪器和设备。确定技术方案，并完成开题报告。

第4－12周：按照设计方案，制备odts自组装单分子膜，并对其进行ald和peald，并采用椭偏仪、水接触角测试仪等测试技术对材料的膜厚度、表面化学性质进行测试，探究sams对ald的阻碍作用和peald对sams的透过作用。

第13－14周：总结实验数据，完成并修改毕业论文。

4. 参考文献（12篇以上）

[1]朱琳, 李爱东. 原子层沉积技术制备金属材料的进展与挑战 %j 微纳电子技术 [j].2015,52(02):113-122.

[2]george s m. atomic layerdeposition: an overview [j]. chem rev,2010,110(1):111-131.

[3]jiang x r, bent s f.area-selective ald with soft lithographic methods: using self-assembledmonolayers to direct film deposition [j]. journal of physical chemistryc,2009,113(41):17613-17625.