基于多孔硅纳米颗粒荧光淬灭检测过氧化氢开题报告

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1. 研究目的与意义

多孔硅 ( poroussilicon ，简称ps )是指硅晶间有大量孔洞的硅材料。

可通过单晶硅片在by溶液中进行阳极氧化制 得，多孔硅表面是一层具有高纵横比、相互隔绝或连通的、与表面垂直的纳米硅晶。

多孔硅的研究历史最早可以追溯到20世纪50年 代 ， 美国贝尔实验室的在研究硅片的电化学抛光时就发现， 当用浓氢氟酸作电解液并在较小的阳极电流密度下得到了与明亮抛光面不同的无光泽的黑色、棕色或红色的薄层即多孔硅。

2. 国内外研究现状分析

英国皇家学院物理系的g. davies的研究小组，他们早在20世纪80年代中期就在低温下观测到离子注入损伤导致很窄的1018 m e v(1.22)的w线，并对硅中不同辐射损伤和离子注入缺陷的发光进行了系统深入的评述。

张宁恒等人研究的多孔硅光致发光中指出，ps在空气中暴露一段时间之后，其光致发光强度要比在最初四个月中的强，且在八个月的时候ps没有出现光致发光峰强度和光致发光峰位的改变。

这个光致发光的稳定性归因于在ps表面生成的fe-si带的稳定性，这也说明了多孔硅光致发光的量子限制效应。

3. 研究的基本内容与计划

由于电化学方法制备多孔硅工艺简单，形成的多孔硅具有孔径小(最小可达几个纳米)、多孔硅层深度较大且可根据需要控制，操作方便等优点，所以电化学方法是形成多孔硅最传统、使用最广的方法。

我们采用电解法。

在硅基片的一面镀一层贵金属(一般为铂)作为电极，电偶部分是通过硅基片与其背面的金属电极在电解液中相接触组成的。

4. 研究创新点

实验过程中,在单晶硅片表面可观察到气泡,增加浸蚀时间,生成的气泡(无色) 变多,但是,在浸蚀液的表面和上方会生成少量具有刺激性气味的红棕色气体。

对二乙烯苯溶液先进行氮气除氧。

有强超，弱超，微波等处理手段以获得苯基化的多孔硅！