1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)
文 献 综 述1. 引言近年来,铁电薄膜因为其在存储器、光电材料存在广大潜在应用而受到广泛关注和研究[1]。
众所周知,如钛酸铅和锆钛酸铅等铅基铁电体因其拥有优越的介电性能、压电性能、铁电性和热释电性能而被广泛应用在电子器件中,已成为不可缺少的功能材料[2]。
但是,考虑到它们具有剧毒并且产生污染,研究人员已竭尽全力研究其无铅替代物,以便他们可以替代那些铅基材料[3,4]。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
一、课题研究与解决问题 高储能密度的反铁电材料的电滞回线应该满足接近零的剩余极化强度pr,较低的矫顽场强ec,以及尽可能高的最大极化强度pmax和击穿场强eb。
目前,用于制备铁电薄膜材料体系仍以锆钛酸铅(pzt)系列为主。
虽然pzt的剩余极化强度较高,但沉积在普通贵金属电极上的pzt薄膜的疲劳性能较差。
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