透明导电氧化锡薄膜制备与研究开题报告

 2021-11-04 20:59:34

1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)

光伏电池辅助材料综述摘要:随着科技的进步和发展,环境问题日趋严重,已经开始越来越显著地影响到人们的日常生活。

为了解决这些问题,人们的环保意识逐渐觉醒。

以太阳能为代表的新型能源以其安全、清洁、无污染、储量巨大等优势逐步进入到了人们的日常生活中。

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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

透明导电氧化物(tco)薄膜主要是包括in、sn、zn和cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料,具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等光电特性。

氧化铟锡(ito)薄膜是综合性能优异的透明电极材料,ito是一种重掺杂、高简并的n型半导体,光学禁带宽度达到3.5ev以上,其载流子浓度可达到1021cm3迁移率为15-450cm2v-1s-1,目前一般认为其半导体化机理为掺杂(掺锡)和组分缺陷(氧空位)。

ito作为优异的透明导电薄膜,其较低的电阻率可达到104cm,可见光透过率可达85%以上,其优良的光电性质使其成为具有实用价值的tco薄膜。

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