二维Bi2O2Se的生长制备与光电特性开题报告

1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

文 献 综 述1.引言自从2004年通过微机械剥离石墨成功获得石墨烯以来，由于他们独特而优异的电学、光学、磁性和机械性能[1]，单层碳原子晶体，石墨烯具有很高的热导率(3000-5000 w m-1 k-1)，达到98%的良好的光学透明性[2]，以及高达1tpa的杨氏模量[3]，与此同时，它能够承受超过25%的应变因此吸引了很多科研人员的注意。

除了石墨烯，金属硫族化合物、过渡金属氧化物和其他二维化合物等二维层状材料重新引起了人们的兴趣。

过渡金属二硫化物(tmds)由金属原子(m)的六角形层组成，夹在两层硫原子(x)之间，这种物质用mx2化学式表示。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

1.制备生长bi2o2se 纳米片 化学气相沉积法是本课题采用的最基本的合成方式，f-mica上bi2o2se的cvd合成:cvd过程具体来说，该装置是一个管式炉，内部连接控制系统(1区，1200 ℃)和1200毫米长的熔融石英管，外径为50毫米。

以bi2se3和bi2o3粉体为前驱体，置于两个氧化铝坩埚中，bi2o3位于中部，bi2se3位于上游，距离为8cm。

f-mice底物放置在下游，距离为12 cm。