H相和T相MoTe2单晶的CVT生长开题报告

1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

文 献 综 述h相和t相mote2单晶的cvt生长有半导体性质的过渡金属双硫属化合物mx2（m是过渡金属，x是硫族元素：o，s，se，te）（tmds）[1]因为诸多原因在光学工程[2-6]领域引起了极大的关注。

其中的大多数一般都具有平衡的载流子迁移率[6-9]来支持电子和空穴的传导,这是实现发光和光转换设备的基本性质。

他们的半导体带隙能够通过选择无数存在的化合物中的一个或通过量子尺寸在很大范围内调整[10-16]。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

2．1研究或解决的问题（1）研究t相mote2和h相mote2的cvt生长；（2）对生长完成的t相mote2和h相mote2进行表征定性；（3）进一步探究t相mote2和h相mote2的性质；2．2拟采用的研究手段（1） cvt生长：通过真空石英管，在管式炉中阶梯升温，热端加热到温度thot = 600 - 900，冷端加热到tcold = 530 - 800。

然后冷却至室温。

（2）表面特性分析：在环境扫描电子显微镜(sem)上用能谱x射线(eds)探测器测定了晶体的组成；通过xrd测定样品xrd光谱，确定样品表明官能团种类和含量。