羧基化碳点制备开题报告

1. 研究目的与意义

研究目的：自发现多孔硅在室温下发射可电光的现象以来，人们对多孔硅的形成机理、发光机制以及在技术上应用的可能性做了很多有意义的工作,但是不同的实验条件下制备的多孔硅的结构和光致发光特性存在很大的差异,至今没有统一的结论.为了更深入理解多孔硅的发光特性，利用电化学腐蚀硅的方法制备多孔硅，讨论其发光机理。

研究意义：单晶硅片在hf溶液中进行阳极氧化后，表面产生一层具有高纵横比，相互隔绝或连通的与表面垂直的纳米硅晶。

由于在这些硅晶间有大量的孔洞，一般称之为多孔硅，多孔硅引起世界的研究热潮，主要来源于三个原因。

2. 国内外研究现状分析

国内研究概况：近年来,科研工作者对多孔硅的基础理论和应用研究做了大量的报道,也取得了很大的进展。

多孔硅的光学特性：张宇恒等人研究的多孔硅光致发光中指出,ps在空气中暴露一段时间之后,其光致发光强度要比在最初四个月中的强,且在八个月的时候ps没有出现光致发光峰强度和光致发光峰位的改变。

这个光致发光的稳定性归因于在ps表面生成的fe-si带的稳定性,这也说明了多孔硅光致发光的量子限制效应。

3. 研究的基本内容与计划

通过电化学腐蚀法制备多孔硅并对其光稳定性进行检测

4. 研究创新点

近年来,关于多孔硅的基础理论及其应用研究取得了很大进展.目前多孔硅的应用主要体现在以下方面:绝缘材料、敏感元件及传感器、照明材料及太阳能电池、光电器件以及作为合成其它材料的模板,尤其在光电应用方面,可把多孔硅作为发光器件集成在发展成熟的大规模微电子电路里,也就是把传输速率比电子高几个量级的光子作为一种信息载体引入到硅基微电子电路里,这样可望实现廉价的光电子集成.多孔硅发光二极管性能的改善,导致了双极硅晶体管与多孔硅发光二极管光电集成的实现,尽管该电路仅是一个结构简易的电路原型,但其制备工艺与标准硅集成电路制备工艺的兼容性与获得的稳定电路特性标志着建立在全硅基础上的光电集成电路已经取得了重大进展.但是全硅光电集成电路要获得实际应用,面临的问题仍不少.从整个硅基光电集成电路领域来看,人们还需对各类硅基发光材料进行深入的基础理论和制备工艺的研究,为全硅光电集成电路的发展提供新途径、新概念和新思路。