氨基化碳点制备开题报告

1. 研究目的与意义

硅材料是世界上最丰富的资源之一, 它具有很多优良的特性, 包括力学强度大、无机械滞后性、导热性能良好、热膨胀系数小等。

人们对硅材料的研究也非常成熟。

硅材料被广泛用于半导体领域。

2. 国内外研究现状分析

1984年，pickering等发现，多孔硅在液氦温度下发出可见的荧光。

1990年，英国科学家在室温下用激光对多孔硅进行谱线激发，肉眼即可观察到强可见光。

这一现象的发现立刻引起了国内外研究者的极大兴趣，多孔硅的研究也随之进入到了一个新时期，多孔硅的温室发光研究成为了主旋律。

3. 研究的基本内容与计划

现在, 人们已经发展了很多制备多孔硅样品的方法, 如阳极腐蚀法、染色腐蚀法、脉冲腐蚀法、水热腐蚀法和火花放电技术等。

其中电化学阳极腐蚀是制备多孔硅最常用的方法。

以单晶硅片作阳极, 铂片作阴极, 以适当的电流密度在氢氟酸和酒精的混合液中进行恒电流阳极氧化, 在硅片表面即可形成多孔硅。

4. 研究创新点

多孔硅有着诱人的应用前景，目前多孔硅研究还存在诸多未能解决的问题,如何提高多孔硅的发光效率和发光稳定性是人们一直关心的研究方向。

要实现这一目的，并将多孔硅的应用推向新的高度，就必须对多孔硅做更多的研究。

本论文主要是对多孔硅制备条件和后处理进行了初步探索, 更多的工作有待以后进行。