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1. 研究目的与意义（文献综述）
金刚石与铜的复合材料具有高导热、低膨胀等优异性能。
随着电子元器件电路集成规模日益提高，电路工作产生的热量也相应升高，对与集成电路芯片膨胀系数相匹配的封装材料的热导率提出了更高的要求。
2. 研究的基本内容与方案
2、通过理论计算得到金刚石的粒度比和粒度大小，同时通过热力学方程计算出反应随温度变化情况，横向对比采用mo2c做烧结助剂制备的铜-金刚石复合材料，分析采用mg2si si做烧结助剂的优势。
目标：通过确定金刚石粒度比，合适的烧结温度和烧结助剂来使制到的复合材料具有较高的热导率，分析热导率可能发生变化的原因，利用合适的模型加以解释。
3. 研究计划与安排
4. 参考文献（不低于12篇）
[1] wu y, luo j, wang y, et al. critical effect and enhanced thermal conductivity of cu-diamond composites reinforced with various diamond prepared by composite electroplating[j]. ceramics international, 2019, 45(10): 13225–13234.
[2] xie z, guo h, zhang x, et al. enhancing thermal conductivity of diamond/cu composites by regulating distribution of bimodal diamond particles[j]. diamond and related materials, 2019, 100: 107564.
[3] yang l, sun l, bai w, et al. thermal conductivity of cu-ti/diamond composites via spark plasma sintering[j]. diamond and related materials, 2019, 94: 37–42.
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