砷化镓载流子浓度和迁移率的拉曼光谱测定开题报告

全文总字数：3339字

1. 研究目的与意义（文献综述）

1 目的及意义

目的：设计一个实验方案实现对砷化镓载流子浓度和电子迁移率的拉曼光谱测量

意义：在如今的半导体制造工艺中，砷化镓材料在这方面的研究取得了巨大的成果，并且有很大的发展空间。相对于传统的硅材料，其电子迁移率高出很多。约为硅材料的5.7倍。砷化镓金晶片是一种高频传输使用的晶片，其质量高，传输品质好，传输距离远，传输速度快，携带信息量大。砷化镓材料的应用领域主要分为微电子领域和光电子领域。在微电子领域中，使用的化合物半导体材料属于高端产品，主要用于制作无线通讯（卫星通讯、移动通讯）、光纤通讯、汽车电子等用的微波器件。可见在未来的研究方向上，砷化镓占据着很大的空间。但是在相关性能的测试上，传统的测试方法有很大的局限性，但是拉曼光谱测试可以快速无损的情况下测出载流子浓度等信息。

2. 研究的基本内容与方案

2 研究（设计）的基本内容、目标、拟采用的技术方案及措施

基本内容：

3. 研究计划与安排

3.进度安排

1-3周：查阅相关文献资料，明确研究内容，熟悉光致发光和拉曼散射的基本理论知识。确定设计方案，完成开题报告。

4-5周：对gainp/gaas/gainp双异质结样品进行拉曼光谱测量，观察不同激发条件下的lo声子-等离子体激元耦合模高频支的变化。

4. 参考文献（12篇以上）

1. 参考文献

1. changkui hu, qiong chen, fengxiang chen, et al. overcoming diffusion-related limitations in semiconductor defect imaging with phonon-plasmon-coupled mode raman scatterin[j]. light: science applications, 2018.

2. fengxiang chen, yong zhang, t. h. gfroerer,et al. spatial resolution versus data acquisition efficiency in mapping an inhomogeneous system with species diffusion[j]. scientific reports, 2015.

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