半导体器件的CV测量技术研究与设计开题报告

1. 研究目的与意义（文献综述）

一、设计的目的及意义

半导体是指在常温条件下，其导电性能高于绝缘体但是低于导体的一类材料的总称。随着科学技术的不断发展，半导体被应用在越来越多的领域，如集成电路、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换、消费电子等。而实际应用过程中，对于半导体的性能要求也有了进一步的提升。

半导体器件在实际的大规模投入应用的过程中，由于受到多种因素影响，其实际性能会面临不同程度的变化。比较典型的例如许多半导体材料对于温度变化比较敏感，在不同温度下工作会导致其实际各项参数的变化，导致半导体器件其本身性能的可靠性下降，进而会对仪器的可靠性乃至于寿命产生不利的影响。特别是在高电压与大电流的情况下，半导体易发生局部温升，各种器件参数迅速变化，最终往往会导致器件受到物理性的损毁。

因此，测定半导体器件在不同环境条件的实际参数性能，确定半导体器件能够有效工作的环境条件区间，是保证半导体器件在实际应用过程中能够有效使用的基础。本次毕业设计的主要目的就是学习半导体器件cv测量的基本原理，了解半导体器件的参数测量的重要性，进而搜集各种现有的半导体参数测量的技术方案，并在对比不同的测试方案的优缺点的基础上，设计新的半导体器件的参数测量方案。

2. 研究的基本内容与方案

三、主要内容

本文将介绍当今处于应用中的测定半导体器件参数测量方法，阐述各种测定半导体器件参数的技术方案的基本原理，对比分析不同方法测定半导体器件参数的优缺点，并在此基础上探索结合不同方法优点的思路，提出新的测定半导体器件参数的新方法。

3. 研究计划与安排

五、进度安排

1、第1周——第3周，搜集资料，撰写开题报告；

2、第4周——第5周，论文开题；

3、第6周——第12周，撰写论文初稿；

4. 参考文献（12篇以上）

六、参考文献

[1]王维,张金山,陈静. 电力半导体器件热阻及测量[j]. 信息技术,2000(06):25-28.

[2]冯士维,谢雪松,吕长志,张小玲,何焱,沈光地. 半导体器件热特性的电学法测量与分析[j]. 半导体学报,1999(05):7-13.

[3]蔡涛,段善旭,康勇. 半导体器件热特性的光学测量技术及其研究进展[j]. 激光与光电子学进展,2008(06):51-58.