1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）
文 献 综 述引言：自2004年安德烈盖姆（andre geim）和克斯特亚诺沃肖洛夫（konstantin novoselov）发现石墨烯以来[1]，二维材料成为人们研究的热点。
单原子层的二维结构赋予了石墨烯许多独特的性质，如室温下非常高的载流子迁移率（约10000cm2v-1s-1）[1]、优异的透光性[2]、极高的杨氏模量（约1tpa）[3]、良好的导热性（约5000wm-1k-1）[4]等。
这些独特的性质使其在电学器件、能量存储、超级电容、光学器件[5-8]等方面有着广阔的应用前景。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
解决问题：uvo处理对mos2光学性质有何影响？uvo处理时间、激光功率如何影响单层与多层mos2的发光行为？造成这种物理现象背后的原因是什么？uvo调控mos2发光行为有何应用，如防伪加密等？研究手段：1 实验手段：机械剥离制备二硫化钼，紫外臭氧机进行uvo处理，秒表计时，共聚焦荧光拉曼显微镜进行发光测试。
origin、matlab等软件进行数据分析，分峰拟合等。
2表征手段：sem，afm形貌表征；xps组分表征；理论计算
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