基于EDA实现HBT器件设计与仿真开题报告

1. 研究目的与意义

hbt晶体管作为一种具有异质结的特殊三极管，广泛应用于高频电路设计中。

这些异质结在新型电子器件的发展和研制中起到了重要的作用，不但能够提高器件的性能，甚至还能够利用有机异质结的特性实现新的功能。

异质结双极型晶体管是80年代以来发展起来的一种新型化合物半导体器件，其基本工作原理早在1951年就由wshockley提出来，1975年hkroemer根据漂移-扩散理论具体分析了这种双极晶体管的优越性，但是由于受到材料制备和工艺上的限制，一直没有能够制作出性能良好的hbt。

2. 研究内容和预期目标

hbt基本结构及工作原理：hbt的结构是较为成熟的n-p-n型，与同质双极晶体管n-p-n型比较，用大写字母n替换小写n，其含义表示发射结为n型宽禁带材料。

hbt按能带结构形式的不同，可有四种结构，（a）突变发射结的结构；（b）缓变发射结的结构；（c）突变发射结、缓变基区的结构；（d）缓变发射结、缓变基区的结构。

突变发射结hbt。

3. 研究的方法与步骤

1.首先查阅课题相关的资料，对资料进行整理和研究，结合实际需要提出设计方案。

2.设计方案包括： (1) 确定的设计思路。

(2) 设计出系统的总体框图。

4. 参考文献

[1]陈星弼，张庆中. 晶体管原理与设计[m].电子工业出版社, 2006.[2]刘恩科，朱秉升，罗晋生等. 半导体物理学[m].西安交通大学出版社，2005.[3]康华光，陈大钦，张林. 电子技术基础[m].高等教育出版社，第五版，2005.[4]silvaco, inc. atlas users manual-device simulation software [m]. 2010.[5]朱筠. 利用silvaco tcad软件改进集成电路实践教学的研究[j]. 数字技术与应用. 2012.[6]石瑞英，刘训春. hbt结构的新进展[j]. 半导体技术. vol. 6, 2002. [7] 刘军，孙玲玲. Ⅲ-Ⅴ族化合物hbt建模[j].半导体学报.vol.11, 2005.[8] 孙玲玲，刘军. 微波hbt建模技术研究综述[j]. 电子学报. vol.2, 2005.[9] 陈雷东。

ingaas/inp hbt的直流特性分析与设计[d].中国科学院研究生院（上海位系统与信息技术研究所）2003.[10] 袁博，陈世彬. 半导体器件模拟软件ise-tcad[j]. 科技信息。

vol. 33, 2012.[11] 许俊瑞，吕红亮，张义门等. inp/ingaas 异质结载流子输运特性的仿真[j]. 微电子学. vol. 5, 2012.[12] 尹胜连，冯彬. tcad技术及其在半导体工艺中的应用[j]. 半导体技术. vol.6, 2008.[13] 汪洁，孙玲玲，刘军. hbt小信号等效电路参数解析提取[j]. 固体电子学研究与进展. vol.2, 2005.

5. 计划与进度安排

(1)2022.1.19-2022.3.10 查阅资料，完成开题报告，完成外文资料的翻译;(2)2022.3.11-2022.3.20了解HBT的基本结构与工作原理，准备课题研究软件仿真设计；(3)2022.3.21-2022.4.20 借助于EDA软件实现HBT器件性能的仿真设计与调试；(4)2022.4.21-2022.5.20 调整并完善仿真设计，资料收集，撰写论文提纲;(5)2022.5.21-2022.6.1 总结资料并撰写论文;(6)2022.6.2-2022.6.10 论文修改，答辩。